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IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
250
225
200
175
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
70
60
Fig. 8. Transconductance
150
125
100
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
50
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
0
40
80
120
160
200
240
280
320
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 70A
I G = 10mA
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40 60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
C iss
R DS(on) Limit
T C = 25 o C
25μs
1000
C oss
100
100μs
1ms
10ms
C rss
100
f = 1MHz
10
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
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